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陈怡然校友发明新型电子自旋忆阻器

2009-03-20 |

2009年3月16日，美国电气与电子工程师协会会刊《IEEE Spectrum》发表当月专题报道，介绍了清华校友陈怡然博士在国际纳米器件研究领域的一项重要贡献：电子自旋忆阻器（Spintronic Memristor）。

2008年，惠普公司的科研人员在《自然》杂志上第一次展示了除已知三种经典电路元件电阻、电容、电感之外的第四种基本电路元件：忆阻器，震惊了国际电子技术界。忆阻器的电阻可以被流经它的电流改变，而且这种变化当断电时还能继续保持。这就使得忆阻器成为天然的非挥发性存储器，它的出现将使集成电路元件变得更小，而且拥有可以模拟复杂的人脑神经功能的超级能力。

今年三月，美国电气与电子工程师协会的《电子器件快报》杂志发表了清华校友陈怡然博士及其同事的文章，阐述了三种基于纳米电子自旋效应的磁性忆阻器的例子。这种新型电子自旋忆阻器可以在从皮秒量级到微秒量级等不同的速率下进行电阻值的转换，以满足不同应用的需要。与惠普公司描述发明的忆阻器件相比，这种器件的应用将会更灵活，而且更容易制造。

曾经在去年5月第一个描述忆阻器的惠普研究人员Stanley Williams评论说：“我认为将忆阻特性和其他现象诸如电子自旋迁徙联系在一起是非常出色的研究。我们需要对这一发现（对科学的）意义有更多的探索。”

陈怡然博士和文章的另一位主要作者王小斌博士目前均就职于世界上最大的硬盘制造企业希捷公司。

【陈怡然博士的个人简介】

陈怡然，1976年2月生，1994年考入清华大学电子系，1998年提前一年毕业；1998年～2001年继续在电子系攻读“物理电子学”专业硕士学位，并以专业第一名的成绩毕业。是优秀新生奖学金、优良毕业生称号以及优秀硕士论文的获得者，曾经获得数十个奖学金及荣誉称号。同时热心社会工作，曾担任清华大学电子工程系学生会主席及清华大学校研究生团委副书记等社会工作职务，是北京市学联第七次代表大会代表。

留学期间，陈怡然在美国Purdue大学获得电子工程博士学位，师从国际集成电路领域著名学者Kaushik Roy教授（美国电气与电子工程师协会会士，Purdue大学讲席教授）。

陈怡然博士是国际集成电路设计领域的知名青年学者。他的研究方向包括纳米级半导体及非半导体超大规模集成电路设计与计算机辅助设计算法，低功耗电路设计及计算机体系结构，以及下一代存储器设计技术等。陈怡然博士发表过超过30篇技术论文，拥有超过50项美国及国际专利申请以及一项希捷公司商业机密。

陈怡然博士在海内外半导体技术和集成电路设计领域拥有深厚的影响，现担任希捷公司存储器事业部专利评审委员会委员，大学科研基金评审委员会委员。

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