新闻中心

2021年3月27日下午，由清华大学微纳电子系/微电子学研究所、清华校友总会集成电路专业委员会和北京未来芯片技术高精尖创新中心共同主办的“水木谈芯”集成电路技术与产业论坛第007期在线上成功举办。

本期论坛的主题是“面向后摩尔时代的新原理器件”，报告嘉宾为清华大学微纳电子系/微电子所助理教授唐建石博士和南天翔博士，由清华大学微纳电子系/微电子所王志华教授主持，高滨副教授负责本期论坛会务工作。共有150余名参会者通过参加腾讯会议与观看直播两种方式，线上参加了此次论坛。

唐建石博士2008年本科毕业于清华大学微纳电子系，2014年博士毕业于美国UCLA电子工程系，2015-2019年在美国IBM Watson研究中心工作，入选海外高层次人才计划，先后获NT18 最佳青年科学家奖、IEEE最佳报告奖、IBM 发明成果奖等奖项。主要研究方向包括新型存储器与类脑计算、碳基电子学等，相关成果入选“2020年北京地区广受关注论文”。近年来在《自然·纳米科技》、《自然·电子》、《自然·通讯》、IEDM等重要期刊和国际会议上发表论文90余篇，已授权美国发明专利22项。担任Frontiers in Neuroscience副编辑，Journal of Semiconductors青年编委，IEEE-NANO、EDTM等国际会议的技术委员会成员。在题为“基于忆阻器的类脑计算与信号处理”的分享中，唐建石博士分析了后摩尔时代存算融合的发展趋势，阐述神经形态器件与类脑计算的基本原理，重点介绍基于忆阻器的存算一体技术的研究进展，探讨它在人工神经网络、脑机接口、信号处理等领域的应用，并对未来类脑计算技术的发展作出展望。

南天翔博士2015年博士毕业于美国东北大学电子工程系，获国家优秀自费留学生奖学金。2015至2019年分别在美国威斯康辛大学麦迪逊分校和美国康奈尔大学作博士后研究，入选海外高层人才计划。2020年入选《麻省理工科技评论》中国“35岁以下科技创新35人”。主要研究方向包括自旋电子器件、微机电系统器件等。近年来在Nature及Science子刊、PNAS等重要学术期刊共发表SCI论文60余篇，论文被SCI他引2000余次，H因子26。在题为“自旋电子器件在集成电路产业的机遇”的报告中，南天翔博士详尽介绍了自旋电子器件的发展历程和最新研究进展，重点探讨其在非易失性随机存储、射频、磁传感等领域的应用，并展望其在集成电路产业的机遇。

演讲中，嘉宾们详尽解答了线上参会者的提问。报告结束后进入主题讨论环节，嘉宾们就“新器件未来是否可以取代CMOS器件”、“MRAM与RRAM存储密度差异”等话题展开深入探讨。论坛持续一个半小时，为参会师生与行业同仁提供了一个深入了解面向后摩尔时代的新原理器件的关键问题、前沿进展、未来趋势的宝贵机会。