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著名物理学家洪朝生院士逝世

2018-09-10 | 来源 中国科学院理化技术研究所2018/8/20 |

著名物理学家、我国低温物理和低温技术研究的开创者、中国科学院理化技术研究所研究员、中国科学院院士洪朝生先生因病医治无效,于2018年8月19日10时10分在北京不幸逝世,享年98岁。

洪朝生院士

洪朝生先生1940年毕业于清华大学电机工程系,1945年赴美国留学,1948年获麻省理工学院博士学位,后在美国普渡大学和荷兰莱顿大学卡末林•昂纳斯实验室工作。1951年回国,任中国科学院应用物理所(物理所)副研究员、研究员,兼清华大学、北京大学、中国科学技术大学物理系教授。1978年任中国科学院物理研究所副所长,1982年任中国科学院低温技术实验中心主任。1980年当选为中国科学院学部委员(院士)。

洪朝生先生于1950年在半导体锗单晶输运现象的实验中发现杂质能级上的导电现象,提出半导体禁带中杂质导电的概念,这一工作后被半导体物理界称之为“洪朝生效应”,成为无序系统电子输运现象实验研究的开端,引发了国际上对无序电子输运机制的探索。1953年在中国科学院物理研究所组建了国内第一个低温实验室,主持研制低温研究设备,先后在国内首次实现了氢的液化和氦的液化,并使该技术在国内得以推广,为我国科学研究,特别是“两弹一星”的成功研制做出了贡献。1970年代领导低温科研队伍,完成了大型空间环境模拟系统KM3和KM4低温氦制冷系统的研制任务,提供卫星上天的空间环境模拟试验条件,为我国航天事业的发展做出了贡献。“KM4大型航天环模设备的研制”获得1985年国家科技进步一等奖。

洪朝生先生是第三届全国人大代表,第五、六、七、八届全国政协委员,曾任中国物理学会副理事长,中国制冷学会副理事长,国际低温工程委员会副主席。1978年获全国科技大会表彰的全国科技工作者,1989年获中国物理学会胡刚复物理奖,2000年获国际低温工程理事会门德尔松奖,2011年获美国低温工程和低温材料大会塞缪尔•科林斯奖。


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